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讓閱讀成為一種習(xí)慣丨中恒微舉辦世界讀書日主題活動(dòng)
4月23日，為迎接第30個(gè)世界讀書日的到來(lái)，中恒微讀書分享活動(dòng)熱烈開啟，10 位選手帶著 10 本經(jīng)典著作走上舞臺(tái)，為我們帶來(lái)了一場(chǎng)精彩絕倫的精神盛宴。一直以來(lái)，中恒微都將營(yíng)造濃厚的讀書學(xué)習(xí)氛圍視為企業(yè)文化建設(shè)的重要...

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2025-04
產(chǎn)品介紹丨中恒微Drive Z3封裝SiC功率模塊
Drive Z3（HPD）封裝的1200V SiC六單元模塊，是中恒微新一代車規(guī)級(jí)SiC功率模塊。模塊芯片為平面柵SiC MOSFET，使用高可靠性、高熱導(dǎo)率的Si3N4 AMB覆銅陶瓷基板以及直接液冷Pin-Fin散熱器，結(jié)合錫片焊接、納米銀...

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2025-04
產(chǎn)品介紹丨中恒微半導(dǎo)體SiC系列功率器件
SiC作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，憑借其高禁帶寬度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率等物理特性，成為功率器件領(lǐng)域的技術(shù)制高點(diǎn)之一。中恒微作為功率半導(dǎo)體行業(yè)的重要推動(dòng)者與實(shí)踐者，推出1200V~2000V，1.75mΩ~75mΩ全系SiC功率器件...

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2025-04
工藝丨中恒微SiC模塊納米銀燒結(jié)與銅線鍵合技術(shù)介紹
近年來(lái)，以使用SiC、GaN為主的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的功率模塊越來(lái)越受到廣泛關(guān)注；其具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子密度、可承受大功率等特點(diǎn)，非常適合于高頻、高壓、高溫等應(yīng)用場(chǎng)合，但正因其特性，對(duì)封裝工藝提出了...

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2025-04

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